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新しい二次元トポロジカル絶縁体の発见 2原子层ビスマスの作成に世界で初めて成功

掲载日:2011年10月17日

トポロジカル絶縁体は内部(バルク)が絶縁体ですが、表面(端)に金属的な状态が存在する新奇な物质群です。特にこの端状态は、磁石ではないのに类似の性质を持つことが知られており、次世代の低消费电力デバイスなどへの応用が注目され、近年盛んに研究されております。

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理学系研究科の平原彻助教らは今回、このような物质群の中で新たなものを作成することに成功しました。注目すべきはこの物质がわずかビスマスという原子が二层でできているということです。このように物质を原子1,2层にするということはこれまでも知られていましたが(例えば2010年にノーベル物理学赏の対象となった炭素一层のシートであるグラフェン)、决して简単なことではありません。本研究によりトポロジカル絶縁体の更なる理解が进み、原子レベルでのナノデバイスや量子コンピューター応用への道が开けることが期待できます。

论文情报

T. Hirahara, G. Bihlmayer, Y. Sakamoto, M. Yamada, H. Miyazaki, S. Kimura, S. Bl?gel, S. Hasegawa,
“Interfacing 2D and 3D topological insulators: Bi(111) bilayer on Bi2Te3,”
Physical Review Letters 107 (2011) 166801 doi: 10.1103/PhysRevLett.107.166801
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